鹤壁变压器厂

　　至于可靠性方面，在采用AlN代替Al2O3作为硅芯片衬底材料以改善热阻的情况下，采用AlSiC代替Cu作为基板，大大减少了负载循环时因材料热膨胀系数相差较大所引起的硅片与衬底之间、衬底与基板之间的焊接疲劳破坏。

　　与此同时，通过使用改进的材料，解决了硅芯片上焊丝剥离问题。这种模块经受了1000万次热循环试验，没有出现故障，这就有效地消除了对新器件可靠性的疑虑。

　　从GTO晶闸管到新一代器件IGBT/IPM、IGCT，由于减少损耗、提高效率和利于用户维修，带来了明显的经济效益；另一方面，如果适当提高IGBT/IPM的开关频率，在保持供电网相同性能（功率因数，电流波形）的前提下，机车车辆上的四象限脉冲整流器的数目有可能减少。